存儲芯片為集成電路產業(yè)的第二大子行業(yè)，存儲芯片具有典型的大宗商品屬性，產品標準化程度高，成本和性能尤為重要。
影響芯片成本和性能的因素非常多，其中晶粒面積是存儲控制芯片的核心指標之一。眾所周知，晶體管隨著工藝的每次縮小而變得更便宜、更快，這就是摩爾定律，也是芯片制造商面臨的挑戰(zhàn)和限制。
為什么說晶粒面積直接影響移動存儲產品的性能及成本？
首先，一個芯片的主要組成部分是微小的晶體管，它們是計算和存儲的基礎。從技術角度來看，芯片上的晶體管尺寸越來越小，數量越來越多。這就意味著在同樣的面積內，我們能夠放置更多的晶體管，從而實現更多的計算和存儲能力。
其次晶體管越小，其運行速度就越快。因為電子在芯片內的移動距離縮短，所需的時間就更少，因此，處理速度就更快。此外，當晶體管尺寸減小時，它們通常需要較低的操作電壓并且產生較少的熱量，可以降低芯片功耗。從經濟角度看，小尺寸晶體管的芯片可以在同樣的晶圓面積上集成更多的功能單元，提高單位面積的產出，從而降低每個芯片的生產成本。
雖然小型芯片有許多優(yōu)勢，但是其制造過程也存在著許多挑戰(zhàn)，需要一系列的技術突破。比如需要具有強大的處理能力、優(yōu)良的算法、高集成度的設計方案等。
作為國內最早布局移動存儲控制芯片的公司，深圳芯邦科技股份有限公司再次取得新的研發(fā)突破，即將推出業(yè)界最小面積的USB2.0 控制芯片——CBM2199ET。該芯片采用的是目前業(yè)界先進制程工藝和芯邦自研專用的處理器，具有更為精減的指令集，減少了不必要的設計冗余。據評估，一片12寸wafer可以切約150k裸片，使芯片產品進一步小型化、低功耗化，并且降低芯片成本，增強產品競爭優(yōu)勢，完美匹配了業(yè)界對存儲控制芯片小型化和高集成度的要求。
一直以來，芯邦科技堅持移動存儲控制芯片的專用處理器、Flash控制算法、硬件加速算法等一系列核心技術的自主研發(fā)，積累豐富經驗和技術優(yōu)勢。其中自主研發(fā)的專用處理器及Flash控制算法，成功解決了flash應用市場中控制芯片難以適應、flash快速迭代等老大難問題，改變了flash行業(yè)應用格局。另外在相同制程工藝及功能標準下，芯邦科技移動存儲控制芯片的晶粒面積（Die Size）一直處于行業(yè)領先水準。
芯邦憑借自身擁有的存儲控制芯片內核設計技術優(yōu)勢，目前成功開發(fā)了U 盤主控系列芯片，SD/MMC 存儲卡控制芯片、讀卡器控制系列芯片等十幾個系列上百個型號的存儲產品。未來芯邦將繼續(xù)開發(fā)其它更具性價比的存儲產品，為客戶提供更多樣化的選擇。
