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技術(shù)積累雄厚,芯邦移動(dòng)存儲(chǔ)控制器芯片發(fā)展迅速

NAND(主流閃存芯片)存儲(chǔ)主控芯片系存儲(chǔ)器的大腦,可以實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)、高寫入和擦除速度,具有更長(zhǎng)的壽命,多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ),如智能手機(jī)、平板電腦、U盤、固態(tài)硬盤、服務(wù)器等領(lǐng)域。隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展,設(shè)備對(duì)海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)提出了越來(lái)越高的要求,NAND Flash芯片的存儲(chǔ)設(shè)備在未來(lái)將得到極大地發(fā)展。

存儲(chǔ)主控芯片負(fù)責(zé)調(diào)配存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)空間與速率,在存儲(chǔ)器中與存儲(chǔ)芯片搭配使用。存儲(chǔ)主控芯片是CPU與存儲(chǔ)器之間數(shù)據(jù)交換的中介,決定了存儲(chǔ)器最大容量、存取速度等多個(gè)重要參數(shù)。

存儲(chǔ)主控芯片的發(fā)展一方面要適應(yīng)并優(yōu)化不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)芯片容量,另一方面要適配存儲(chǔ)傳輸協(xié)議的代際演進(jìn),并在存儲(chǔ)固件的控制下實(shí)現(xiàn)溫度管理、健康報(bào)告、壞塊管理、糾錯(cuò)機(jī)制、斷電保護(hù)等。
作為國(guó)內(nèi)最早布局移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片的公司,芯邦科技在移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片領(lǐng)域歷經(jīng)20年的發(fā)展和創(chuàng)新。芯邦科技聚焦突破存儲(chǔ)顆粒架構(gòu)、提升制造工藝水平。

通過(guò)自主研發(fā)的高性能、低功耗的指令集專用處理器和ECC糾錯(cuò)算法,結(jié)合獨(dú)創(chuàng)的Flash控制技術(shù)、硬件加速算法等一系列技術(shù),提升產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀寫性能和數(shù)據(jù)安全保護(hù)性能,使芯片在綜合良率、實(shí)際容量及兼容性等指標(biāo)上具備較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力,并且降低芯片產(chǎn)品成本,增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

USB控制器芯片

CBM2199E
  • 采用BCH ECC糾錯(cuò)算法,最高支持72bit/1K
  • 最高支持16KB/PAGE flash,最高支持8192Page/Block
  • 支持3D Nand flash和Toggle flash
  • 支持3.3v/1.8v Flash,支持3.3v/1.8v 電壓自動(dòng)trimming
  • Flash電壓、電流可配,PAD/電源地可配置
  • 最高頻率166MHz
  • 工作電壓1.5-3.8V
  • 待機(jī)電流<0.1uA,待機(jī)功耗<0.5uW(低功耗專利)

CBM2199S

  • 支持3.3V/1.8V,8bit/16bit Nand Flash;
  • 支持512B-8KB page size,7bit-43bit ecc糾錯(cuò)能力
  • 創(chuàng)新的不間斷糾錯(cuò)機(jī)制;
  • 支持SD/MMC 1bit/4bit Host讀卡器功能
  • 支持SPI host讀卡器功能
CBM2099E
  • 采用BCH ECC糾錯(cuò)算法,最高支持72bit/1K
  • 最高支持16KB/PAGE flash,最高支持2KPAGE/Block
  • 支持3.3v/1.8v Flash,支持3.3v/1.8v 電壓自動(dòng)trimming
  • PAD/電源地可配置,且LDO驅(qū)動(dòng)能力支持軟件配置。
  • 使用.11um RVT庫(kù),最高頻率166MHz
  • 待機(jī)電流<0.1uA,待機(jī)功耗<0.5uW(低功耗專利)

SD控制器芯片

CBM3688
  • 支持SD2.0協(xié)議
  • 采用BCH ECC糾錯(cuò)算法,最高支持72bit/1K
  • 采用55nm工藝,最高頻率166MHz
  • 兼容Windows,Linux,MacOS,Andriod等多系統(tǒng)平臺(tái)
  • 支持VCCQ 3.3V/1.8V  VCC3.3V
  • 最高支持16KB/PAGE flash,最高支持4KPAGE/Block
  • 支持L型封裝
CBM3380
  • 支持SD2.0/SD3.0協(xié)議
  • 采用BCH ECC糾錯(cuò)算法,最高支持72bit/1K
  • 最高支持16KB/PAGE flash,最高支持8KPAGE/Block
  • 支持3D Nand flash和Toggle flash
  • 支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v Flash,支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v電壓自動(dòng)trimming
  • PAD/電源地可配置,且LDO驅(qū)動(dòng)能力支持軟件配置。
  • 最高頻率208MHz
  • 工作電壓:1.1-3.8V
  • 待機(jī)電流<0.1mA,待機(jī)功耗<0.5uW(低功耗專利)
CBM3060 SPI Nand Flash controller
  • 支持SPI Slave協(xié)議,總線寬度支持1/2/4 bit,最高支持104MHz時(shí)鐘頻率
  • 支持ONFI1.0 異步模式標(biāo)準(zhǔn),支持8/16 bit Flash。支持最快20ns訪問(wèn)速度
  • 16 bitFlash最高支持2個(gè)片選;8bitFlash最高支持8個(gè)片選
  • 支持2Kbyte/4Kbyte Page SLC FLASH;
  • 支持4-14 bit ECC糾錯(cuò)能力.
  • 多樣化的數(shù)據(jù)格式管理。
  • 支持8K-Bytes OTP單元, 大小可配置。
  • 工作電壓:SPI工作電壓范圍3.0~3.6V,F(xiàn)lash工作電壓范圍1.6~2.0V / 3.0~3.6V
  • 工藝:采用SMIC .11um工藝