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工藝引領(lǐng)存儲(chǔ)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)！盤點(diǎn)芯邦科技高端存儲(chǔ)主控芯片

存儲(chǔ)主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲(chǔ)設(shè)備。它負(fù)責(zé)管理多個(gè)存儲(chǔ)單元 (如內(nèi)存、固態(tài)硬盤、閃存卡等)之間的數(shù)據(jù)傳輸和存取操作。存儲(chǔ)主控芯片通常包括處理器、內(nèi)存控制器、接口控制器等功能模塊，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的數(shù)據(jù)傳輸和存儲(chǔ)管理。

存儲(chǔ)控制芯片通過(guò)控制NANDFlash存儲(chǔ)芯片中各個(gè)存儲(chǔ)單元電能的儲(chǔ)存及釋放實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與擦除，是存儲(chǔ)產(chǎn)品的核心器件。存儲(chǔ)控制芯片需要能夠識(shí)別 NANDFlash 存儲(chǔ)芯片中存儲(chǔ)單元的狀態(tài)，避開(kāi)壞區(qū)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效寫入，并最大化利用可用區(qū)域提升 NAND Flash 存儲(chǔ)芯片的可用容量。

移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片設(shè)計(jì)需要深厚技術(shù)積累。NAND Flash 的商業(yè)化應(yīng)用已超過(guò) 20 年，NANDFlash 存儲(chǔ)晶圓工藝也已經(jīng)歷數(shù)次迭代，移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片設(shè)計(jì)企業(yè)對(duì)各品牌存儲(chǔ)晶圓的技術(shù)迭代路徑、工藝特性、性能特點(diǎn)需要進(jìn)行長(zhǎng)期的跟蹤、歸納、總結(jié)、沉淀，才能設(shè)計(jì)出具備較強(qiáng)兼容性的移動(dòng)存儲(chǔ)芯片，因此移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片設(shè)計(jì)存在較高的行業(yè)壁壘。

芯邦科技通過(guò)自主研發(fā)的專用處理器及Flash控制算法，成功解決了flash應(yīng)用市場(chǎng)中控制芯片難以適應(yīng)、flash快速迭代等老大難問(wèn)題，引領(lǐng)了該細(xì)分市場(chǎng)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，并取得了多項(xiàng)專利，徹底改變了該領(lǐng)域一直被海外廠商壟斷供應(yīng)的歷史。


芯邦移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片采用的NAND Flash控制算法定制的專用處理器，可以兼容存儲(chǔ)晶圓原廠的超過(guò)1000種NAND Flash存儲(chǔ)芯片，同時(shí)具備更強(qiáng)的壞區(qū)識(shí)別、均衡擦寫、數(shù)據(jù)糾錯(cuò)等能力，極大地提高移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的可用容量、使用壽命及讀寫速度，并提升移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

USB控制器芯片

CBM2199E

  • 采用BCH ECC糾錯(cuò)算法,最高支持72bit/1K
  • 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8192Page/Block
  • 支持3D Nand flash和Toggle flash
  • 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 電壓自動(dòng)trimming
  • Flash電壓、電流可配，PAD/電源地可配置
  • 最高頻率166MHz
  • 工作電壓1.5-3.8V
  • 待機(jī)電流<0.1uA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）

CBM2199s
  • 支持3.3V/1.8V，8bit/16bit Nand Flash；
  • 支持512B-8KB page size，7bit-43bit ecc糾錯(cuò)能力
  • 創(chuàng)新的不間斷糾錯(cuò)機(jī)制；
  • 支持SD/MMC 1bit/4bit Host讀卡器功能
  • 支持SPI host讀卡器功能

CBM2380
  • 采用BCH ECC糾錯(cuò)算法,最高支持72bit/1K
  • 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持16KPAGE/Block
  • 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 電壓自動(dòng)trimming
  • PAD/電源地可配置，且LDO驅(qū)動(dòng)能力支持軟件配置。
  • 工作電壓：1.7V~3.6V 工作電壓1.5-3.8V
  • 待機(jī)電流<0.1uA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）
  • 支持USB2.0/USB3.0

SD卡控制器芯片

CBM3380

  • 支持SD2.0/SD3.0協(xié)議
  • 采用BCH ECC糾錯(cuò)算法,最高支持72bit/1K
  • 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8KPAGE/Block
  • 支持3D Nand flash和Toggle flash
  • 支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v Flash，支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v電壓自動(dòng)trimming
  • PAD/電源地可配置，且LDO驅(qū)動(dòng)能力支持軟件配置。
  • 最高頻率208MHz
  • 工作電壓：1.1-3.8V
  • 待機(jī)電流<0.1mA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）


CBM3688
  • 支持SD2.0協(xié)議
  • 采用BCH ECC糾錯(cuò)算法,最高支持72bit/1K
  • 采用55nm工藝，最高頻率166MHz
  • 兼容Windows，Linux，MacOS，Andriod等多系統(tǒng)平臺(tái)
  • 支持VCCQ 3.3V/1.8V  VCC3.3V
  • 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持4KPAGE/Block
  • 支持L型封裝